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PCT发明

半导体装置的制造方法和蚀刻气体

2023-06-04 11:27:09 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN201980059146.4
  • 公开（公告）日：2024-11-22
  • 公开（公告）号：CN112673459A
  • 申请人：铠侠股份有限公司|||关东电化工业株式会社
摘要：本发明提供能够合适地对膜进行蚀刻的半导体装置的制造方法和蚀刻气体。根据一个实施方式，该半导体装置的制造方法包括：使用包含CxHyFz(C表示碳，H表示氢，F表示氟，x表示3以上的整数，且y和z分别表示1以上的整数)所示的链状烃化合物的蚀刻气体对膜进行蚀刻。进而，上述CxHyFz是碳链上的各末端的碳原子仅与氢原子和氟原子中的氟原子键合的链状烃化合物。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112673459 A (43)申请公布日 2021.04.16 (21)申请号 201980059146.4 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 (22)申请日 2019.07.10 代理人 白丽 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 2018-169983 2018.09.11 JP H01L 21/3065 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 H01L 29/788 (2006.01) 2021.03.10 H01L 27/11582 (2006.01) (86)PCT国际申请的申请数据 H01L 29/792 (2006.01) PCT/JP2019/027316 2019.07.10 H01L 21/3213 (2006.01) H01L

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