一种半导体器件的形成方法及半导体器件

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113140631 A (43)申请公布日 2021.07.20 (21)申请号 202010046318.9 H01L 29/417(2006.01) (22)申请日 2020.01.16 (71)申请人 中芯国际集成电路制造（上海）有限 公司 地址 201203 上海市浦东新区中国（上海） 自由贸易试验区张江路18号 申请人 中芯国际集成电路制造（北京）有限 公司 (72)发明人 吴健　 (74)专利代理机构 上海德禾翰通律师事务所 31319 代理人 侯莉 (51)Int.Cl. H01L 29/78(2006.01) H01L 21/336(2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 一种半导体器件的形成方法及半导体器件 (57)摘要 本发明公开了一种半导体器件的形成方法 及半导体器件，该方法包括：提供基底；在基底上 形成覆盖栅极结构的部分侧壁的第一介质层；在 第一区和第二区的第一介质层上形成阻挡介质 层,第一区的阻挡介质层的厚度大于第二区的阻 挡介质层的厚度。在第一区的源漏掺杂区上形成 贯穿第一介质层和阻挡介质层的第一插塞槽和 第二插塞槽。在刻蚀形成第一插塞