一种原位自生Al2O3增强高熵合金涂层及制备方法
- 申请专利号:CN202310195372.3
- 公开(公告)日:2024-10-22
- 公开(公告)号:CN116200739A
- 申请人:昆明理工大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116200739 A (43)申请公布日 2023.06.02 (21)申请号 202310195372.3 (22)申请日 2023.03.03 (71)申请人 昆明理工大学 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路 253号 (72)发明人 刘洪喜 陶建涛 李为尚 齐惠清 刘亮 (74)专利代理机构 昆明隆合知识产权代理事务 所(普通合伙) 53220 专利代理师 龙燕 (51)Int.Cl. C23C 24/10 (2006.01) C22C 30/00 (2006.01) C22C 32/00 (2006.01) B22F 9/04 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种原位自生Al O 增强高熵合金涂层及制 2 3 备方法 (57)摘要 本发明公开了一种原位自生Al O 增强高熵 2 3 合金涂层及制备方法,属于激光熔覆领域。本发 明所述的合金粉末为Al、Ti、V、Cr、Nb、TiO ,基体 2 材料选用TC4钛合金;具体方法为:对TC4基材进 行表面预处理,将称量好的Al、Ti、V、