磁控溅射设备2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117051367 A (43)申请公布日 2023.11.14 (21)申请号 202311047603.2 (22)申请日 2023.08.18 (71)申请人 上海陛通半导体能源科技股份有限 公司 地址 201000 上海市浦东新区庆达路315号 13幢3F (72)发明人 汪昌州　张慧　宋维聪　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇知识产权代理 有限公司 11463 专利代理师 曹灿 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/50 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图5页 (54)发明名称 磁控溅射设备 (57)摘要 本发明公开了一种磁控溅射设备，通过将传 统的适配器、内衬和盖板构成一体式结构，从而 可以增加热量在这三者之间的传递，同时一体式 的工艺套件在腔室内的位置固定可以避免部件 在运动过程中颗粒缺陷的产生，提高工艺产品的 良率，结构更为简单。由于工艺套件内部设置的 冷却通道从适配部延伸至盖板部，如此可以在冷 却通道内通入的冷却介质(例如水、气等)来带走 工艺套件的热量，增加工艺套件的热传导效率， 降低腔室内等离子轰击引起工艺套件温升现象， 冷却效果更佳，即使在大功率下等离子连续轰击 工艺套件，工艺套件的温度也不会升高，从而降 A 低工艺套件辐射到晶圆的热量，降低晶圆温升现 7 象，保证工艺的稳定进行，进而保证薄膜质量。