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一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法2024

2024-01-26 08:28:22 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311207212.2
  • 公开(公告)日:2024-10-29
  • 公开(公告)号:CN117423774A
  • 申请人:无锡松煜科技有限公司
摘要:本发明提供一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法,包括:(1)将硅片置于热丝化学气相沉积设备的反应腔室中,抽真空,通入硅烷、乙硼烷和氢气,沉积厚度为10~30nm的掺硼非晶硅层,出腔;(2)进行激光选择性重掺杂处理;(3)将硅片置于硼扩散炉管中,抽真空,通入氮气进行无氧硼扩散;(4)抽真空,氮气吹扫,通入氧气,将硅片进行氧化推结,完成硅片的选择性掺杂硼扩散。本发明采用掺硼非晶硅可以使得激光选择性重掺杂中采用较低激光功率就可以将离子扩散到较大的深度;采用热丝化学气相沉积法制备掺硼非晶硅层,不会出现绕扩现象;采用无氧硼源,整个工艺中无B2O3副产物产生,不会对石英件造成损坏。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117423774 A (43)申请公布日 2024.01.19 (21)申请号 202311207212.2 (22)申请日 2023.09.19 (71)申请人 无锡松煜科技有限公司 地址 214000 江苏省无锡市新吴区环普路9 号11号厂房 (72)发明人 陈庆敏 李丙科 宋银海 张海洋  (74)专利代理机构 浙江金杜智源知识产权代理 有限公司 33511 专利代理师 葛天祥 (51)Int.Cl. H01L 31/18 (2006.01) H01L 21/225 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 (54)发明名称 一种太阳能电池选择性掺杂硼扩散方法 (57)摘要 本发明提供一种太阳能电池选择性掺杂硼 扩散方法,包括:(1)将硅片置于热丝化学气相沉 积设备的反应腔室中,抽真空,通入硅烷、乙硼烷 和氢气,沉积厚度为10 30nm的掺硼非晶硅层,出 ~ 腔;(2)进行激光选择性重掺杂处理;(3)将硅片 置于硼扩散炉管中,抽真空,通入氮气进行无氧 硼扩散;(4)抽真空,氮气吹扫,通入氧气,将硅片 进行氧化推结,完成硅片的选择性掺杂硼扩散。 本发明采用掺硼非晶硅可以使得激光选择性重 掺杂中采用较低激光功率就可以将离子扩散到 较大的深度;采用热丝化学气相沉积法制备掺硼 非晶硅层,不会出现绕扩现象;采用无氧硼源,整 A 个工艺中无B O 副产物产生,不会对石英件造

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