一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法及用途2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117821069 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202311645363.6 (22)申请日 2023.12.04 (71)申请人 浙江奥首材料科技有限公司 地址 324012 浙江省衢州市杜鹃路36号 (72)发明人 侯军　武文东　赵晓莹　杨茂森　 任洁　 (74)专利代理机构 深圳云海专利代理事务所 (特殊普通合伙) 44846 专利代理师 王天桂 (51)Int.Cl. C09K 13/08 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种半导体BOE蚀刻液、其制备方法及用途 (57)摘要 本发明涉及一种半导体BOE蚀刻液，按照重 量份计算，包括如下组分：氢氟酸2‑10份；氟化铵 20‑40份；复合表面活性剂0.02‑0.1份；复合消泡 剂0.3‑1.5份；超纯水25‑40份。本发明还公开了 给蚀刻液的制备方法。本发明所选的杂交型双链 氟碳表面活性剂A结构为双链型氟碳，分子中包 含一个碳氟链和一个碳氢链，此表面活性剂不仅 可以降低临界胶束浓度，降低溶液的表面张力， 而且还可以降低溶液与其他表面活性剂之间的 界面张力，有利于溶解其余的表面活性剂。表面 活性剂B的加入可以使溶液的表面张力再次降 低。复合消泡剂的应用可以同时从吸附表面改变 A 液膜受力和发生形变作用共同消泡，从而提高对 9 于蚀刻液