一种高温度稳定性的A位高构型熵充满型钨青铜陶瓷及其制备方法2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116813340 A (43)申请公布日 2023.09.29 (21)申请号 202310767771.2 (22)申请日 2023.06.27 (71)申请人 浙江大学 地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘 路866号 (72)发明人 朱晓莉　欧翊邦　宋佳汶　陈湘明　 (74)专利代理机构 杭州求是专利事务所有限公 司 33200 专利代理师 万尾甜　韩介梅 (51)Int.Cl. C04B 35/495 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种高温度稳定性的A位高构型熵充满型钨 青铜陶瓷及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种高温度稳定性的A位高构 型熵充满型钨青铜电介质陶瓷及其制备方法，其 表达式为Sr Ca RTi Nb O ,其 中R＝ 4 .5 0 .5 3 7 30 L a N d 、L a N d S m 或 0 . 5 0 . 5 1 / 3 1 / 3 1 / 3 La0 .25Nd0 .25Sm0 .25Eu0 .25 。本发明制备的电介质陶 瓷具有高温度稳定性，以室温为基准，尤其是当R ＝La1/3Nd1/3Sm1/3和La0 .25Nd0 .25Sm0 .25Eu0 .25时，介 电常数变化值小于1