铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及其制造方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117766461 A (43)申请公布日 2024.03.26 (21)申请号 202311805308.9 (22)申请日 2023.12.25 (71)申请人 广东省大湾区集成电路与系统应用 研究院 地址 510535 广东省广州市广州开发区开 源大道136号A栋 (72)发明人 亨利·H ·阿达姆松　苗渊浩　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 杨平平 (51)Int.Cl. H01L 21/762 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01) H01L 27/146 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图9页 (54)发明名称 铟镓砷晶圆及其制造方法、射频阵列芯片及 其制造方法 (57)摘要 本申请提供一种铟镓砷晶圆及其制造方法， 一种射频阵列芯片及其制造方法，方法包括：形 成施主衬底，施主衬底包括依次层叠的第一衬 底、吸收层、第一掺杂层和键合层，吸收层的材料 为铟镓砷，第一掺杂层的材料为铟镓砷或磷化 铟，第一衬底至少包括目标层，目标层的材料为 磷化铟。形成受主衬底，受主衬底包括依次层叠 的第一硅衬底、富陷阱层和绝缘层，富陷阱层为 四族元素构成的非晶材料。以键合层朝向绝缘层 的方向键合施主衬底和受主衬底，去除部分厚度 的第一衬底，保留目标层，对目标层进行掺杂，得 A 到第二掺杂层，形成铟镓砷晶圆