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发明

一种CsPbBr3陶瓷及其制备方法和应用2024

2024-06-01 07:58:24 发布于四川 1
  • 申请专利号：CN202410189933.3
  • 公开（公告）日：2024-09-20
  • 公开（公告）号：CN118084491A
  • 申请人：湖南大学
摘要：本发明提供了一种CsPbBr3陶瓷，所述CsPbBr3陶瓷为孪晶；所述CsPbBr3陶瓷为正交晶系Pnma空间群；所述CsPbBr3陶瓷的晶胞参数为a=8.2339(3)埃，b=11.7593(4)埃，c=8.2447(4)埃，V=798.29(6)埃；所述CsPbBr3陶瓷有制备方法包括将CsBr粉体和PbBr2粉体混合并模压成型后，进行第一烧结后自然冷却，然后进行第二烧结的步骤；所述第一烧结的温度为360‑460℃；所述第二烧结的温度为480‑560℃。本发明还提供所述CsPbBr3陶瓷的制备方法和应用。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084491 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410189933.3 (22)申请日 2024.02.20 (71)申请人 湖南大学 地址 410082 湖南省长沙市岳麓区麓山南 路麓山门 (72)发明人 杨斌　李骏驰　 (74)专利代理机构 湖南仁翰律师事务所 43250 专利代理师 欧阳唐哲 (51)Int.Cl. C04B 35/515 (2006.01) G01D 5/26 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 附图9页 (54)发明名称 一种CsPbBr 陶瓷及其制备方法和应用 3 (57)摘要 本发明提供了一种CsPbBr 陶瓷，所述 3 CsPbBr 陶瓷为孪晶；所述CsPbBr 陶瓷为正交晶 3 3 系Pnma空间群；所述CsPbBr 陶瓷的晶胞参数为a 3 =8 .2339 (3)埃，b=11 .7593 (4)埃，c=8.2447 (4) 埃，V=798 .29(6)埃；所述CsPbBr 陶瓷有制备方

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