1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 专利分类
  4. 化学/冶金
PCT发明

接合体及采用其的陶瓷电路基板以及半导体装置

2023-05-17 10:09:38 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202180055457.0
  • 公开（公告）日：2024-10-18
  • 公开（公告）号：CN116018884A
  • 申请人：株式会社东芝|||东芝高新材料公司
摘要：一种经由含有Ag的接合层将金属板和陶瓷基板接合而成的接合体，其特征在于，在由接合层的厚度方向和其正交方向所形成的截面中的按接合层的厚度方向的长度×正交方向的长度200μm形成的测定区域中，相对于Ag浓度为50at％以下的贫Ag区，Ag浓度为60at％以上的富Ag区按面积比计存在70％以下。此外，接合层的厚度方向的长度优选在10μm以上且60μm以下的范围内。此外，陶瓷基板优选为氮化硅基板。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116018884 A (43)申请公布日 2023.04.25 (21)申请号 202180055457.0 (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 (22)申请日 2021.10.19 专利代理师 周欣 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 2020-175898 2020.10.20 JP H05K 3/12 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.02.13 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/JP2021/038511 2021.10.19 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/085654 JA 2022.04.28 (71)申请人 株式会社东芝 地址 日本东京都 申请人 东芝高新材料公司 (72)发明人 山本翔太　吉村文彦　末永诚一　 大关智行　 权利要求书1页 说明书12页 附图2页 (54)发明名称 接合体及采用其的陶瓷电路基板以及半导 体装置 (57)摘要

最新专利

相关专利