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发明

一种多靶直流磁控溅射镀膜装置及其在沉积陶瓷基底多层金属膜中的应用

2023-06-29 07:00:06 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202210949866.1
  • 公开（公告）日：2023-06-27
  • 公开（公告）号：CN115386848A
  • 申请人：中国科学院近代物理研究所
摘要：本发明公开了一种多靶直流磁控溅射镀膜装置及其在沉积陶瓷基底多层金属膜中的应用。所述多靶直流磁控溅射装置的结构：镀膜室内于底部上工件架，工件架的上部设有第一至第五靶材、离子源、加热管；镀膜室的顶部设有三流量计；真空抽气系统包括粗抽系统和精抽系统，用于对镀膜室抽真空；测量系统包括设于镀膜室上的第一热电偶传感器和第二热电偶真空计；控制系统包括第一热电偶真空计控制单元、第一分子泵控制器、第一至第五溅射靶材电源、第一离子源电源和第一偏压电源。利用本发明多靶直流磁控溅射装置在大尺寸异形氧化锆陶瓷表面沉积多层金属膜，实现对氧化锆陶瓷的表面改性，可以降低氧化锆陶瓷表面放气率、解析率，同时使其具有较高的导电率。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115386848 A (43)申请公布日 2022.11.25 (21)申请号 202210949866.1 C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/56 (2006.01) (22)申请日 2022.08.09 C04B 41/90 (2006.01) (71)申请人 中国科学院近代物理研究所 地址 730013 甘肃省兰州市城关区南昌路 509号 (72)发明人 罗成　魏宁斐　李长春　蒙峻　 刘建龙　焦纪强　杨伟顺　谢文君　 柴振　马向利　蔺晓建　万亚鹏　 (74)专利代理机构 北京纪凯知识产权代理有限 公司 11245 专利代理师 王春霞 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图2页 (54)发明名称 一种多靶直流磁控溅射镀膜装置及其在沉 积陶瓷基底多层金属膜中的应用 (57)摘要 本发明公开了一种多靶直流磁控溅射镀膜 装置及其在沉积陶瓷基底多层金属膜中的应用。 所述多靶直流磁控溅射装置的结构：镀膜室内于

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