三维（3D）半导体存储器装置和包括其的电子系统

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114520233 A (43)申请公布日 2022.05.20 (21)申请号 202111368625.X (22)申请日 2021.11.18 (30)优先权数据 10-2020-0154241 2020.11.18 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 李海旻　 (74)专利代理机构 北京天昊联合知识产权代理 有限公司 11112 专利代理师 赵南　 肖学蕊 (51)Int.Cl. H01L 27/11575 (2017.01) H01L 27/11578 (2017.01) 权利要求书3页 说明书14页 附图31页 (54)发明名称 三维（3D）半导体存储器装置和包括其的电 子系统 (57)摘要 3D半导体存储器装置包括外围电路结构、中 间绝缘层和单元阵列结构。单元阵列结构包括： 第一衬底，其包括单元阵列区域和连接区域；堆 叠结构，其包括交替地堆叠在第一衬底上的电极 层和电极层间绝缘层；平面化绝缘层，其覆盖堆 叠结构的位于连接区域上的端部；以及第一导通 孔，其穿透平面化绝缘层、第一衬底和中间绝缘 层。第一导通孔将电极层之一连接到外围电路结 构。第一导通孔包括彼此一体地连接的第一过孔 部分和第二过孔部分。第一过孔部分穿透平面化 绝缘层，并且具有第一宽度。第二过孔部分穿透 A 中间绝缘层，并且具有大于第一宽度的第二宽 3 度。 3 2 0 2 5 4 1 1