一种致密的辐射防护陶瓷及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116535211 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202310262704.5 C04B 35/622 (2006.01) G21F 1/06 (2006.01) (22)申请日 2023.03.17 (71)申请人 中国机械总院集团沈阳铸造研究所 有限公司 地址 110000 辽宁省沈阳市铁西区云峰南 街17号 (72)发明人 时坚　于波　李怀乾　魏彦鹏　 苗治全　刘世昌　成京昌　王景成　 高鹏　关书文　 (74)专利代理机构 沈阳晨创科技专利代理有限 责任公司 21001 专利代理师 张晨 (51)Int.Cl. C04B 35/50 (2006.01) C04B 35/495 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图2页 (54)发明名称 一种致密的辐射防护陶瓷及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种致密的辐射防护陶瓷及 其制备方法，涉及辐射防护材料领域，所述陶瓷 以氧化硼、氧化锂、氧化钨和稀土氧化物为原料 制成，所述稀土氧化物为氧化钐、氧化钆、氧化铕 之一种或几种的组合。传统防护材料存在毒性、 耐温能力不足、需要与基体材料或支撑结构组合 等问题，造成屏蔽体体积和重量增加