发明

半导体封装

2023-06-18 07:07:33 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202110188275.2
  • 公开(公告)日:2024-11-19
  • 公开(公告)号:CN113284862A
  • 申请人:三星电子株式会社
摘要:公开了一种半导体封装,包括:芯构件,具有彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表面与第二表面之间的外侧表面,芯构件具有将第一表面与第二表面连接的通孔,通孔具有从外侧表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的表面粗糙度Ra;再分布衬底,在芯构件的第一表面上,并且包括再分布层;半导体芯片,在再分布衬底上在所述通孔中,并具有电连接至再分布层的接触焊盘;以及密封物,在再分布衬底上并且覆盖半导体芯片和芯构件,芯构件的突出部分具有暴露于密封物的侧表面的表面。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113284862 A (43)申请公布日 2021.08.20 (21)申请号 202110188275.2 (22)申请日 2021.02.18 (30)优先权数据 10-2020-0021231 2020.02.20 KR (71)申请人 三星电子株式会社 地址 韩国京畿道 (72)发明人 文炅燉 姜明杉 高永灿 权伊亿  金廷锡 李共济 赵俸紸  (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 公司 11021 代理人 倪斌 (51)Int.Cl. H01L 23/31 (2006.01) H01L 23/498 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图15页 (54)发明名称 半导体封装 (57)摘要 公开了一种半导体封装,包括:芯构件,具有 彼此相对的第一表面和第二表面、以及在第一表 面与第二表面之间的外侧表面,芯构件具有将第 一表面与第二表面连接的通孔,通孔具有从外侧 表面突出的突出部分并且具有0.5μm或以上的 表面粗糙度Ra;再分布衬底,在芯构件的第一表 面上,并且包括再分布层;半导体芯片,在再分布 衬底上在所述通孔中,并具有电连接至再分布层 的接触焊盘;以及密封物,在再分布衬底上并且 覆盖半导体芯片和芯构件,芯构件的突出部分具 有暴露于密封物的侧表面的表面。 A 2 6 8 4 8 2 3 1 1 N C CN 113284862 A

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