发明

一种测试芯片的封装方法2025

2024-03-31 07:35:03 发布于四川 9
  • 申请专利号:CN202311745136.0
  • 公开(公告)日:2025-09-09
  • 公开(公告)号:CN117790341A
  • 申请人:宁波芯健半导体有限公司
摘要:本申请涉及一种测试芯片的封装方法,涉及半导体封装技术的领域,其包括提取第一集成电路晶圆并于第一集成电路晶圆的一侧覆盖第一介电层;于第一介电层的一侧溅射第一金属TiCu层;将第一掩模版上的图像进行光刻以在第一金属TiCu层上形成第一光刻层;于第一光刻层上电镀第一UBM金属层;依次去除第一光刻层和第一金属TiCu层,以露出成型为第一设计芯片图像和第一测试芯片图像的第一电镀金属层;于第一电镀金属层上形成第一凸点;将第一集成电路晶圆切割成单个第一芯片,本申请具有在封装过程中设计中心有特殊图像的测试芯片,使得每次检测都处于同一个水平,检测结果较为准确且判断依据标准化,提高了检测的效率的效果。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117790341 A (43)申请公布日 2024.03.29 (21)申请号 202311745136.0 G01N 3/24 (2006.01) (22)申请日 2023.12.18 (71)申请人 宁波芯健半导体有限公司 地址 315000 浙江省宁波市宁波杭州湾新 区庵东工业园区华兴地块中横路18号 (72)发明人 彭祎 任超 方梁洪 李春阳  (74)专利代理机构 北京维正专利代理有限公司 11508 专利代理师 王婉芬 (51)Int.Cl. H01L 21/60 (2006.01) H01L 23/544 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01) G01R 31/52 (2020.01) G01R 31/28 (2006.01) 权利要求书3页 说明书11页 附图8页 (54)发明名称 一种测试芯片的封装方法 (57)摘要 本申请涉及一种测试芯片的封装方法,涉及 半导体封装技术的领域,其包括提取第一集成电 路晶圆并于第一集成电路晶圆的一侧覆盖第一 介电层;于第一介电层的一侧溅射第一金属TiCu 层;将第一掩模版上的图像进行光刻以在第一金 属TiCu层上形成第一光刻层;于第一光刻层上电 镀第一UBM金属层;依次去除第一光刻层和第一 金属TiCu层,以露出成型为第一设计芯片图像和 第一测试芯片

最新专利