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发明

一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法2025

2024-04-16 07:24:13 发布于四川 15
  • 申请专利号：CN202410049060.6
  • 公开（公告）日：2025-09-12
  • 公开（公告）号：CN117865651A
  • 申请人：中山智隆新材料科技有限公司
摘要：本申请涉及溅射靶材技术领域，具体公开了一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制备方法。一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂；所述多元氧化物粉末包括以下重量份的原料：氧化铟86‑89.6份，氧化锌9.5‑12.8份，氧化锆0.5‑1.2份，氧化铊0.1‑0.4份，所述多元氧化物粉末的比表面积为8 m2/g‑20m2/g，松装密度为0.91g/cm3‑1.55g/cm3。本申请的用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材，通过锆、铊元素添加到多元氧化物粉末中，利用氧化铊低熔点形成液相反应，与氧化锆形成低熔共晶物，和氧化铟、氧化锌复配，能够减少靶材气孔率、降低靶材电阻率，进而提高溅射薄膜的电学和光学稳定性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117865651 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410049060.6 (22)申请日 2024.01.12 (71)申请人 中山智隆新材料科技有限公司 地址 528459 广东省中山市板芙镇智能制 造装备产业园智润路2号（住所申报） (72)发明人 钟威平　葛春桥　李强　 (74)专利代理机构 北京维正专利代理有限公司 11508 专利代理师 陈辉 (51)Int.Cl. C04B 35/01 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/64 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书8页 (54)发明名称 一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及 其制备方法 (57)摘要 本申请涉及溅射靶材技术领域，具体公开了 一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶材及其制 备方法。一种用于溅射薄膜晶体管的掺杂IZO靶 材，包括多元氧化物粉末、粘结剂和增塑剂；所述 多元氧化物粉末包括以下重量份的原料：氧化铟 86‑89.6份，氧化锌9.5‑12.8份，氧化锆0.5‑1.2 份，氧化铊0.1‑0.4份，所述多元氧化物粉末的比 2 2 3 表面积为8 m /g‑20m /g，松装密度为0.91g/cm ‑ 3

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