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高通量成分梯度反铁电基薄膜材料及其制备方法

2023-06-07 22:12:41 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211486004.6
  • 公开(公告)日:2024-05-31
  • 公开(公告)号:CN115747726A
  • 申请人:中国科学院深圳先进技术研究院
摘要:本申请公开了一种高通量成分梯度反铁电基薄膜材料及其制备方法,所述高通量成分梯度反铁电基薄膜材料的制备方法包括以下步骤:获取衬底;在所述衬底上沉积形成底电极层;通过移动掩膜版,在所述底电极层上沉积不同比例的锆酸铅和掺杂组分,得到高通量成分梯度反铁电基薄膜材料,其中,所述掺杂组分包含钡元素。本申请解决了现有技术测试不同钡离子掺杂比例与反铁电基薄膜材料性能之间的关系的准确性较低的技术问题。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115747726 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211486004.6 C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) (22)申请日 2022.11.24 (71)申请人 中国科学院深圳先进技术研究院 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽深 圳大学城学苑大道1068号 (72)发明人 钟高阔 曾令平 陈骞鑫 邹娟  任传来  (74)专利代理机构 深圳市世纪恒程知识产权代 理事务所 44287 专利代理师 胥巧莉 (51)Int.Cl. C23C 14/28 (2006.01) H01G 4/12 (2006.01) C23C 14/04 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) 权利要求书2页 说明书11页 附图3页 (54)发明名称 高通量成分梯度反铁电基薄膜材料及其制 备方法 (57)摘要 本申请公开了一种高通量成分梯度反铁电 基薄膜材料及其制备方法,所述高通量成分梯度 反铁电基薄膜材料的制备方法包括以下步骤:获 取衬底;在所述衬底上沉积形成底电极层;通过 移动掩膜版,在所述底电极层上沉积不同比例的 锆酸铅和掺杂组分,得到高通量成分梯度反

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