介电弛豫量测结构和系统以及半导体器件2024

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 220821562 U (45)授权公告日 2024.04.19 (21)申请号 202322687089.0 (22)申请日 2023.09.28 (73)专利权人 深圳市昇维旭技术有限公司 地址 518000 广东省深圳市龙岗区平湖街 道辅城坳社区新源三巷1号B栋104 (72)发明人 谢明宏　 (74)专利代理机构 深圳市联鼎知识产权代理有 限公司 44232 专利代理师 刘抗美 (51)Int.Cl. H01L 23/544 (2006.01) G01R 27/26 (2006.01) G01R 31/26 (2020.01) H01L 21/66 (2006.01) H10B 12/00 (2023.01) 权利要求书6页 说明书16页 附图9页 (54)实用新型名称 介电弛豫量测结构和系统以及半导体器件 (57)摘要 本公开涉及一种介电弛豫量测结构和系统 以及半导体器件，介电弛豫量测结构用于测量半 导体器件中电容管的介电弛豫情况，介电弛豫量 测结构包括与电容管中导体管套连接的第一导 体层、与电容管中导体管芯连接的第二导体层以 及夹在两者之间并与电容管中介电部连接的介 电绝缘层；且还包括与第一导体层电性连接的第 一充电探针和第一量测探针、与第二导体层电性 连接的第二充电探针和第二量测探针，第一充电 探针和第二充电探针用于与充电装置相导通，实 现为电