发明

一种改善石英晶圆双面膜层致密度一致性的方法

2023-06-07 22:01:11 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202211139409.2
  • 公开(公告)日:2024-10-18
  • 公开(公告)号:CN115747735A
  • 申请人:北京晨晶电子有限公司
摘要:本发明涉及石英材料,具体涉及一种改善石英晶圆双面膜层致密度一致性的方法。所述方法包括在温度T1下对石英晶圆进行第一次预热,时长t1;进行除气,设定温度T2,时长t2;在所述石英晶圆的一面进行沉积;将完成第一次沉积的石英晶圆取出,在温度T3下对其进行第二次预热,时长t3;进行除气,设定温度T4,时长t4;在所述石英晶圆的另一面进行沉积。本发明通过在两面成膜前额外进行两次温度不同的预热,精确控制基材温度进而改善双面膜层致密度一致性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115747735 A (43)申请公布日 2023.03.07 (21)申请号 202211139409.2 (22)申请日 2022.09.19 (71)申请人 北京晨晶电子有限公司 地址 100020 北京市朝阳区酒仙桥路2号 (72)发明人 王天宇 裴志强 郄立伟 赵黎明  王颖 尚帅 谷华锋  (74)专利代理机构 北京路浩知识产权代理有限 公司 11002 专利代理师 朱惠惠 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/18 (2006.01) G01L 1/16 (2006.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图1页 (54)发明名称 一种改善石英晶圆双面膜层致密度一致性 的方法 (57)摘要 本发明涉及石英材料,具体涉及一种改善石 英晶圆双面膜层致密度一致性的方法。所述方法 包括在温度T1下对石英晶圆进行第一次预热,时 长t1;进行除气,设定温度T2,时长t2;在所述石 英晶圆的一面进行沉积;将完成第一次沉积的石 英晶圆取出,在温度T3下对其进行第二次预热, 时长t3;进行除气,设定温度T4,时长t4;在所述 石英晶圆的另一面进行沉积。本发明通过在两面 成膜前额外进行两次温度不同的预热,精确控制 基材温度进而改善双面膜层致密度一致性。 A 5 3 7 7 4 7 5 1 1 N C CN 115747735 A

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