一种有效抑制正硅酸锂陶瓷小球中锂挥发的方法
- 申请专利号:CN202310421959.1
- 公开(公告)日:2024-10-18
- 公开(公告)号:CN116535201A
- 申请人:昆明理工大学
专利内容
(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116535201 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202310421959.1 (22)申请日 2023.04.19 (71)申请人 昆明理工大学 地址 650093 云南省昆明市五华区学府路 253号 (72)发明人 耿润泽 胡劲 王开军 张维钧 吴舟 李恋 罗庆越 (74)专利代理机构 天津煜博知识产权代理事务 所(普通合伙) 12246 专利代理师 朱维 (51)Int.Cl. C04B 35/16 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/636 (2006.01) C04B 35/634 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图10页 (54)发明名称 一种有效抑制正硅酸锂陶瓷小球中锂挥发 的方法 (57)摘要 本发明涉及一种有效抑制正硅酸锂陶瓷小 球中锂挥发的方法,属于陶瓷材料技术领域。本 发明将碳酸锂和纳米二氧化硅混匀,然后置于温 度为800~1000℃下固相反应得到正硅酸锂粉末 前驱体;将正硅酸锂粉末前驱体、PVA水溶液和海 藻酸锂水溶液混合均匀得到混合浆液,将混合浆 液逐滴滴入液氮中骤冷得到冷冻微球,将冷冻微 球放入丙酮溶液中,真空干燥至丙酮溶液完全挥 发得到陶瓷小球 ;陶瓷小球在400~600℃烧结 0.5~1.5h,再900~1100℃烧结2