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发明

半导体工艺设备及安装方法2024

2023-09-18 07:29:32 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202310738542.8
  • 公开（公告）日：2024-06-14
  • 公开（公告）号：CN116752122A
  • 申请人：上海稷以科技有限公司
摘要：本发明提出了一种半导体工艺设备及安装方法，该设备包括进气法兰；反应腔内管，其腔体形成反应区，反应腔内管的下端面可拆卸地设置于进气法兰的内壁上；反应腔内管的侧壁上开设供杂质气体排出的排气口；晶圆支撑架，用于放置若干片晶圆，晶圆支撑架设置于反应腔内管的腔体内，包括一固定于反应腔内管内壁的顶板，顶板上设置若干沿轴向延伸的支撑条，每个支撑条上均开设用于承接晶圆且沿轴向分布的若干栅格，所有支撑条共同承接同一片晶圆；及反应腔外管，用于将反应腔内管中的杂质气体排出，底部密封法兰，用于封闭反应区，与进气法兰的下端面接触。本发明可实现大批量晶圆生产、提高工艺反应腔寿命，还可以减少颗粒污染物。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116752122 A (43)申请公布日 2023.09.15 (21)申请号 202310738542.8 H01L 21/673 (2006.01) H01L 21/67 (2006.01) (22)申请日 2023.06.21 (71)申请人 上海稷以科技有限公司 地址 200241 上海市闵行区东川路555号戊 楼4026室 (72)发明人 刘强　杨平　 (74)专利代理机构 上海邦德专利代理事务所 (普通合伙) 31312 专利代理师 刘旭章 (51)Int.Cl. C23C 16/455 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) C23C 16/48 (2006.01) C23C 16/458 (2006.01) 权利要求书2页 说明书6页 附图7页 (54)发明名称 半导体工艺设备及安装方法 (57)摘要 本发明提出了一种半导体工艺设备及安装 方法，该设备包括进气法兰；反应腔内管，其腔体 形成反应区，反应腔内管的下端面可拆卸地设置 于进气法兰的内壁上；反应腔内管的侧壁上开设 供杂质气体排出的排气口 ；晶圆支撑架，用于放 置若干片晶圆，晶圆支撑架设置于反应腔内管的 腔体

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