新型的PMOS管衬底切换电路控制方法及系统2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113489477 A (43)申请公布日 2021.10.08 (21)申请号 202110748712.1 (22)申请日 2021.07.02 (71)申请人 山东汉旗科技有限公司 地址 277000 山东省枣庄市峄城经济开发 区科达西路 (72)发明人 刘陵刚　 (51)Int.Cl. H03K 17/687 (2006.01) 权利要求书2页 说明书5页 附图3页 (54)发明名称 新型的PMOS管衬底切换电路控制方法及系 统 (57)摘要 本发明属于电子电路领域，具体涉及到一种 新型的PMOS管衬底切换电路控制方法及系统,新 型的PMOS管衬底切换电路,其包括VDD端和vpp 端，所述的vdd端连接上二极管d1的正极、上电压 比较控制电路的一个电压比较端，所述的上二极 管d1的负极同时连接一个vpp端、一个vdd端、下 二极管d2的负极、上电压比较控制电路的一个电 压比较端、下电压比较控制电路的一个电压比较 端，所述的上电压比较控制电路的输出端连接衬 底nsub，一个vpp端连接下二极管d2的正极、下电 压比较控制电路的一个电压比较端，所述的下电 A 压比较控制电路的输出端连接衬底nsub，所述的 7 上电压比较控制电路和下电压比较控制电路电 7 4 9 路均用于比较两个电压比较端的电压大小，且导 8 4 3 通电压大的一端到输出端。 1 1 N C CN 113489477 A 权　利　要　求　书