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一种荧光传感器的制备方法及其应用2024

2023-11-24 07:20:01 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202311071942.4
  • 公开(公告)日:2024-07-23
  • 公开(公告)号:CN117089341A
  • 申请人:齐鲁工业大学(山东省科学院)
摘要:本发明公开了一种荧光传感器的制备方法及其应用,属于荧光传感材料技术领域。本发明采用物理包埋的方式将有机荧光分子装载至介孔二氧化硅孔道中,再将硅烷化的发光量子点通过共价键的方式嫁接到介孔二氧化硅表面。既保持了发光量子点的荧光性质及优良的水溶性同时有效地防止有机荧光分子的泄漏,又结合了介孔二氧化硅低细胞毒性和保护作用,同时又发挥了有机荧光分子对H2O2的特异性的荧光性质等特点,获得了具有良好实际应用价值的比率荧光纳米传感器。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117089341 A (43)申请公布日 2023.11.21 (21)申请号 202311071942.4 B82Y 40/00 (2011.01) (22)申请日 2023.08.24 (71)申请人 齐鲁工业大学(山东省科学院) 地址 250300 山东省济南市长清区大学路 3501号 (72)发明人 高萌 刘雨虹 陶圆圆 徐利洁  安晓帆 李东玮 姜晓萍  (74)专利代理机构 北京盛询知识产权代理有限 公司 11901 专利代理师 张浩伟 (51)Int.Cl. C09K 11/02 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) G01N 21/64 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种荧光传感器的制备方法及其应用 (57)摘要 本发明公开了一种荧光传感器的制备方法 及其应用,属于荧光传感材料技术领域。本发明 采用物理包埋的方式将有机荧光分子装载至介 孔二氧化硅孔道中,再将硅烷化的发光量子点通 过共价键的方式嫁接到介孔二氧化硅表面。既保 持了发光量子点的荧光性质及优良的水溶性同 时有效地防止有机荧光分子的泄漏,又结合了介 孔二氧化硅低细胞毒性和保护作用,同时又发挥 了有机荧光分子对H O 的特异性的荧光性

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