单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体的方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114875480 A (43)申请公布日 2022.08.09 (21)申请号 202210457950.1 (22)申请日 2022.04.28 (71)申请人 中材人工晶体研究院有限公司 地址 100018 北京市朝阳区红松园1号 申请人 北京中材人工晶体研究院有限公司 (72)发明人 高崇　赵鹏　何敬晖　倪代秦　 周振翔　陈建荣　黄存新　刘世权　 (74)专利代理机构 北京柏杉松知识产权代理事 务所(普通合伙) 11413 专利代理师 何家鹏　丁芸 (51)Int.Cl. C30B 15/34 (2006.01) C30B 29/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 单晶炉及其加热保温系统、生长氧化镓晶体 的方法 (57)摘要 本申请实施例提供一种单晶炉及其加热保 温系统、生长氧化镓晶体的方法，包括发热件、感 应线圈和保温组件，发热件用于加热原料；发热 件被配置为与感应线圈电磁耦合，以产生热量； 保温组件包括间隔设置的第一保温套筒、第二保 温套筒以及保温颗粒，保温颗粒填充于发热件与 第一保温套筒之间，以及第一保温套筒和第二保 温套筒之间，并与发热件、第一保温套筒和第二 保温套筒接触。保温组件能够降低单晶炉的加热 保温系统在收颈和放肩阶段的热延时，提高温场 的稳定性，从而提高生长晶体的质量。 A 0 8 4 5 7 8 4 1 1