一种高导热SiCf/SiC复合材料及其制备方法2026

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118084500 A (43)申请公布日 2024.05.28 (21)申请号 202410237859.8 (22)申请日 2024.03.01 (71)申请人 中国人民解放军国防科技大学 地址 410073 湖南省长沙市开福区德雅路 109号 (72)发明人 王衍飞　陈祥健　刘荣军　李端　 (74)专利代理机构 长沙国科天河知识产权代理 有限公司 43225 专利代理师 邱轶 (51)Int.Cl. C04B 35/573 (2006.01) C04B 35/571 (2006.01) C04B 35/80 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/628 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图2页 (54)发明名称 一种高导热SiC /SiC复合材料及其制备方 f 法 (57)摘要 本发明公开了一种高导热SiC /SiC复合材 f 料及其制备方法，该方法包括：对KD‑SA型SiC纤 维预制件进行预处理；在预处理后的预制件的表 面沉积裂解一层碳界面层；将沉积有碳界面层的 预制件置于CVI SiC沉积炉中进行化学气相沉积 处理，得到沉积有CVI SiC基体的中间体；将中间 体真空浸渍于液态聚碳硅烷先驱体中，浸