潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图形获取方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113009789 A (43)申请公布日 2021.06.22 (21)申请号 202110244338.1 (22)申请日 2021.03.05 (71)申请人 广东省大湾区集成电路与系统应用 研究院 地址 510000 广东省广州市广州开发区开 源大道136号A栋 (72)发明人 苏晓菁　叶甜春　韦亚一　粟雅娟　 张利斌　王云　薛静　 (74)专利代理机构 广州华进联合专利商标代理 有限公司 44224 代理人 杨明莉 (51)Int.Cl. G03F 7/20 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图7页 (54)发明名称 潜在热点图形区域确定方法及光刻热点图 形获取方法 (57)摘要 本发明公开了一种潜在热点图形区域确定 方法及光刻热点图形获取方法，所述潜在热点图 形区域确定方法包括：获取电路版图上的图形区 域，对所述图形区域进行遍历并获取截断点；确 定各相邻所述截断点的中心点为图形切割中心 点；基于各所述图形切割中心获取潜在热点图形 区域，其中，各所述潜在热点图形区域为以各所 述图形切割中心点为中心，并以第一预设扩展距 离形成的正方形区域，所述第一预设扩展距离为 所述第一正方形区域的对角线长度的一半。可选 出少量的潜在热点图形区域，并且可以提供足够 A 的图形类别覆盖率，相较于普通模式和点聚类法 9 两种方案，降低光刻友好设计的仿真面积和运算