电离腔室、射频离子源及其控制方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113846317 A (43)申请公布日 2021.12.28 (21)申请号 202111125541.3 C23C 14/54 (2006.01) (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人 中山市博顿光电科技有限公司 地址 528400 广东省中山市火炬开发区科 技东路39号之二219、220室 申请人 佛山市博顿光电科技有限公司 (72)发明人 吴秋生　刘伟基　冀鸣　赵刚　 易洪波　 (74)专利代理机构 广州市律帆知识产权代理事 务所(普通合伙) 44614 代理人 余永文 (51)Int.Cl. C23C 16/505 (2006.01) C23C 16/52 (2006.01) C23C 14/46 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图6页 (54)发明名称 电离腔室、射频离子源及其控制方法 (57)摘要 本申请涉及一种电离腔室、射频离子源及其 控制方法，所述电离腔室包括：底部和侧壁，所述 底部连接供气管道，前端设置为射频离子源的栅 网；其中，所述供气管道通入的气体在射频电作 用下在所述电离腔室内进行电离产生等离子体； 在所述侧壁上还设置有导电材料制成的屏蔽罩， 所述屏蔽罩连接电源的正极端；所述屏蔽罩用于 在电离腔室中产生由侧壁向中心方向的电场，所 述等离子体在所