发明

一种N元素调控Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜的方法

2023-06-27 09:39:52 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310234476.0
  • 公开(公告)日:2025-03-28
  • 公开(公告)号:CN116288204A
  • 申请人:南京理工大学
摘要:本发明公开了一种N元素调控Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜的方法,其步骤为:以Ta靶和W靶作为靶材,采用氩气为溅射气体,氮气为反应气体,通过直流磁控溅射靶材,在基底上获得Ta0.5W0.5Nx硬质薄膜。本发明通过多靶直流磁控溅射从W2N到Ta0.5W0.5Nx薄膜的过渡设计,利用氮含量调控Ta0.5W0.5Nx薄膜的价电子浓度,使得钨元素取代钽元素,制备x值为0.82~1.02的单相固溶结构薄膜,其表面结合延性金属材料钨和氮化物的优点,形成兼具高硬度和韧性的特性,可以有效提高薄膜的强韧性,在耐磨损方面也具有更好的耐久性,有利于延长刀具的使用寿命。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116288204 A (43)申请公布日 2023.06.23 (21)申请号 202310234476.0 (22)申请日 2023.03.13 (71)申请人 南京理工大学 地址 210094 江苏省南京市孝陵卫200号 (72)发明人 王琦瑶 李建亮 李航  (74)专利代理机构 南京理工大学专利中心 32203 专利代理师 邹伟红 (51)Int.Cl. C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01) C23C 14/54 (2006.01) C23C 14/02 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 一种N元素调控Ta W Nx硬质薄膜的方法 0.5 0.5 (57)摘要 本发明公开了一种N元素调控Ta W N 硬 0 .5 0 .5 x 质薄膜的方法 ,其步骤为 :以Ta靶和W靶作为靶 材,采用氩气为溅射气体,氮气为反应气体,通过 直流磁控溅射靶材,在基底上获得Ta W N 硬

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