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PCT发明

在晶片的正面上沉积外延层的方法和实施该方法的装置

2023-04-23 09:11:45 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202080039437.X
  • 公开（公告）日：2024-06-11
  • 公开（公告）号：CN113950541A
  • 申请人：硅电子股份公司
摘要：用于在具有取向切口的晶片的正面上沉积外延层的装置，包括用于保持并使具有基座支撑轴和基座支撑臂的基座旋转的机构；和由基座支撑臂保持并具有向内指向的突起部的环；以及包括基座环的基座，所述基座环具有用于在晶片的背面的边缘区域中支撑晶片的支撑面和与该支撑面相邻的基座环的台阶状外边界，支撑面具有向内指向的突起部。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113950541 A (43)申请公布日 2022.01.18 (21)申请号 202080039437.X (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 (22)申请日 2020.04.29 代理人 彭丽丹　过晓东 (30)优先权数据 (51)Int.Cl. 102019207772.2 2019.05.28 DE C23C 16/458 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 C30B 25/12 (2006.01) 2021.11.26 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2020/061882 2020.04.29 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2020/239347 DE 2020.12.03 (71)申请人 硅电子股份公司 地址 德国慕尼黑 (72)发明人 J ·哈贝雷希特　S ·海因里希　 R ·绍尔　R ·施泰因　

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