一种双波长输出的半导体激光器及其制备方法2025

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117913650 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311721711.3 (22)申请日 2023.12.14 (71)申请人 长春理工大学 地址 130022 吉林省长春市卫星路7089 (72)发明人 邹永刚　黄卓尔　范杰　石琳琳　 徐睿良　付曦瑶　兰云萍　马晓辉　 岳钰新　 (74)专利代理机构 北京市诚辉律师事务所 11430 专利代理师 耿慧敏　吴敏 (51)Int.Cl. H01S 5/10 (2021.01) H01S 5/12 (2021.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图3页 (54)发明名称 一种双波长输出的半导体激光器及其制备 方法 (57)摘要 本申请涉及半导体激光技术领域，公开了一 种双波长输出的半导体激光器及其制备方法。所 述半导体激光器包括光栅结构，光栅结构包括侧 向耦合光栅和脊光栅；侧向耦合光栅包括两组周 期相同、占空比相同的侧向光栅，以及设于两组 侧向光栅中间的连接波导；脊光栅在连接波导上 刻蚀生成。采用脊光栅和侧向耦合光栅相结合， 可以很好地保证光栅反射谱中具有两个反射峰， 通过改变侧向耦合光栅的宽度，可以增强对应光 栅的耦合系数，使得侧向耦合光栅和脊光栅的耦 合强度基本相同，可以实现强度基本一致的双波 A 峰激射。侧向光栅与脊光栅之间刻蚀有凹槽，可 0 以减少侧向耦合光栅和脊光栅之间的模式竞争。 5