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PCT发明

用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法

2023-05-14 10:02:39 发布于四川 2
  • 申请专利号：CN202180055480.X
  • 公开（公告）日：2025-03-07
  • 公开（公告）号：CN116057202A
  • 申请人：硅电子股份公司
摘要：本发明涉及一种用于由气相在衬底晶圆上沉积外延层的方法，包括：测量衬底晶圆的边缘几何形状，其中所述边缘几何形状基于边缘位置将厚度特征值指派给衬底晶圆的边缘；将衬底晶圆放置在用于沉积外延层的装置的基座的袋状部中，其中袋状部被具有圆形的圆周的边界包围；加热衬底晶圆；以及使工艺气体在衬底晶圆上方通过；其特征在于，衬底晶圆被放置在袋状部中，使得在具有较厚边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离比在具有较薄边缘的厚度特征值的边缘位置处从衬底晶圆到袋状部的边界的距离小。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116057202 A (43)申请公布日 2023.05.02 (21)申请号 202180055480.X (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 (22)申请日 2021.07.21 专利代理师 王永建 (30)优先权数据 (51)Int.Cl . 20191322.5 2020.08.17 EP C23C 16/458 (2006.01) (85)PCT国际申请进入国家阶段日 2023.02.14 (86)PCT国际申请的申请数据 PCT/EP2021/070393 2021.07.21 (87)PCT国际申请的公布数据 WO2022/037889 DE 2022.02.24 (71)申请人 硅电子股份公司 地址 德国慕尼黑 (72)发明人 T ·施泰特纳　M ·文鲍尔　 权利要求书1页 说明书4页 附图4页 (54)发明名称 用于在衬底晶圆上沉积外延层的方法 (57)摘要 本发明涉及一种用于由气相在衬底晶圆上 沉积外延层的

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