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内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合金及其制备方法

2023-07-06 10:28:11 发布于四川 2
  • 申请专利号:CN202310147411.2
  • 公开(公告)日:2024-10-08
  • 公开(公告)号:CN116377280A
  • 申请人:河南科技大学
摘要:内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合金,包括以下质量百分比的组分:2.5~3.5%的Ni,0.6~0.85%的Si,0.3~0.5%的Cr,余量为铜;铜镍硅合金中含有30‑35%体积的高密度、且具有不同取向的纳米孪晶,纳米孪晶的厚度为5~70 nm,不同取向的纳米孪晶呈相互交叉状,或纳米孪晶的尖端终止于不同取向的纳米孪晶晶界和晶粒边界处,铜镍硅合金中还均匀分布有粒径为6~20nm的纳米级析出相。本发明将元素配比优化、调控热处理和晶粒细化工艺相结合,使均匀分布的析出相和高密度多取向纳米孪晶同时存在于合金基体中,达到改变合金内部组织结构,显著提高合金性能,制备高强、高导、高延伸性铜镍硅合金的目的。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116377280 A (43)申请公布日 2023.07.04 (21)申请号 202310147411.2 C22F 1/08 (2006.01) C22F 1/02 (2006.01) (22)申请日 2023.02.22 (71)申请人 河南科技大学 地址 471000 河南省洛阳市涧西区西苑路 48号 (72)发明人 班宜杰 张毅 李蕴彰 周孟  唐顺龙 耿永锋 张晓辉 安俊超  宋克兴 王智勇 贾延琳 李旭  刘勇 田保红 付明  (74)专利代理机构 洛阳公信知识产权事务所 (普通合伙) 41120 专利代理师 时亚娟 (51)Int.Cl. C22C 9/06 (2006.01) C22C 1/02 (2006.01) 权利要求书2页 说明书10页 附图3页 (54)发明名称 内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合 金及其制备方法 (57)摘要 内部多取向孪晶与析出相共存的铜镍硅合 金,包括以下质量百分比的组分:2.5 3.5%的Ni, ~ 0.6 0.85%的Si,0.3 0.5%的Cr,余量为铜;铜镍 ~ ~

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