一种(Ti,Zr,Hf)B2中熵陶瓷基复相材料及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116354730 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310337520.0 (22)申请日 2023.03.31 (71)申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号 (72)发明人 王新刚　王小飞　高巍　王铭　 蒋丹宇　 (74)专利代理机构 上海隆天律师事务所 31282 专利代理师 朱俊跃　钟宗 (51)Int.Cl. C04B 35/58 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/645 (2006.01) 权利要求书1页 说明书9页 附图2页 (54)发明名称 一种(Ti,Zr ,Hf)B 中熵陶瓷基复相材料及 2 其制备方法 (57)摘要 本发明提供了一种(Ti ,Zr ,Hf)B 中熵陶瓷 2 基复相材料及其制备方法，包括 (Ti,Zr ,Hf)B 、 2 BN和B C，采用氧化物原料、B C粉体利用氮化硅 4 4 球磨介质球磨混合加压烧结而成。本发明的技术 方案工艺简单，合成复相粉体和制备的陶瓷氧含 量低，且晶粒小、粒径分布均匀，所制备的中熵陶 瓷基复相材料在高温具有优良的强度和韧