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发明

一种基于氧空位调控的阻态可调忆阻器及其制备方法2023

2023-12-08 07:11:04 发布于四川 31
  • 申请专利号：CN202310978866.9
  • 公开（公告）日：2023-12-01
  • 公开（公告）号：CN117156959A
  • 申请人：佛山科学技术学院
摘要：本发明涉及信息处理材料领域，尤其涉及一种基于氧空位调控的阻态可调忆阻器及其制备方法，包括以下步骤：S1.清洗并烘干衬底基片；S2.在惰性气体的气氛下，通过磁控溅射将低活性金属Ⅰ沉积于步骤S1中的衬底基片上，得到下电极；S3.在混合气体的气氛下，通过在磁控溅射镀膜机中，利用化学气相沉积法将金属氧化物沉积于步骤S2的下电极，得到阻变层；S4.在惰性气体的气氛下，通过磁控溅射将低活性金属Ⅱ沉积于步骤S3的阻变层上，得到上电极，并制得基于氧空位调控的阻态可调忆阻器。本方案提出的一种基于氧空位调控的阻态可调忆阻器的制备方法，制备方法简单，操作性强，确保得到的忆阻器可实现双阻态和多阻态的切换调控，以克服现有技术的不足。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117156959 A (43)申请公布日 2023.12.01 (21)申请号 202310978866.9 C23C 14/18 (2006.01) C23C 16/40 (2006.01) (22)申请日 2023.08.04 C23C 28/00 (2006.01) (71)申请人 佛山科学技术学院 地址 528000 广东省佛山市南海区狮山镇 广云路33号 (72)发明人 蔡青锋　陈建文　段志奎　王修才　 朱文博　刘思　 肖鹏　于昕梅　 (74)专利代理机构 佛山市禾才知识产权代理有 限公司 44379 专利代理师 何慧敏 (51)Int.Cl. H10N 70/20 (2023.01) H10N 70/00 (2023.01) C23C 14/35 (2006.01) C23C 14/16 (2006.01) 权利要求书2页 说明书9页 附图4页 (54)发明名称 一种基于氧空位调控的阻态可调忆阻器及 其制备方法 (57)摘要 本发明涉及信息处理材料领域，尤其涉及一 种基于氧空位调控的阻态可调忆阻器及其制备 方法，包括以下步骤：S1 .清洗并烘干衬底基片；

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