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一种BAW滤波器晶圆级封装方法2024

2024-03-02 07:21:33 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202410066659.0
  • 公开(公告)日:2024-04-16
  • 公开(公告)号:CN117579015A
  • 申请人:深圳新声半导体有限公司
摘要:本申请公开了一种BAW滤波器晶圆级封装方法,该方法包括:将提供的第一BAW晶圆的第一表面和第二BAW晶圆的第一表面贴合后,进行晶圆级键合,对晶圆级键合后的BAW晶圆的第一表面进行刻蚀形成硅通孔,使晶圆级键合后的金属焊垫暴露出来,在BAW晶圆的第一表面的非硅通孔区域沉积金属种子层后,在硅通孔中电镀铜后,在形成的铜表面电镀凸点,形成晶圆级封装的BAW滤波器;电镀凸点的过程进行回流焊。其中,通过将作为发送端的第一BAW晶圆和作为接收端的第二BAW晶圆键合在一起,实现三维堆叠,使得占用的面积直接减小一半,便于芯片集成和使用,实现芯片小型化和轻量化。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117579015 A (43)申请公布日 2024.02.20 (21)申请号 202410066659.0 (22)申请日 2024.01.17 (71)申请人 深圳新声半导体有限公司 地址 518049 广东省深圳市福田区梅林街 道梅都社区中康路136号深圳新一代 产业园3栋801 (72)发明人 魏彬 邹洁 唐供宾  (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 专利代理师 马小青 (51)Int.Cl. H03H 3/02 (2006.01) H03H 9/10 (2006.01) H03H 9/56 (2006.01) H03H 9/58 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种BAW滤波器晶圆级封装方法 (57)摘要 本申请公开了一种BAW滤波器晶圆级封装方 法,该方法包括:将提供的第一BAW晶圆的第一表 面和第二BAW晶圆的第一表面贴合后,进行晶圆 级键合,对晶圆级键合后的BAW晶圆的第一表面 进行刻蚀形成硅通孔,使晶圆级键合后的金属焊 垫暴露出来,在BAW晶圆的第一表面的非硅通孔 区域沉积金属种子层后,在硅通孔中电镀铜后, 在形成的铜表面电镀凸点,形成晶圆级封装的 BAW滤波器;电镀凸点的过程进行回流焊。其中, 通过将作为发送端的第一BAW晶圆和作为接收端 的第二BAW晶圆键

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