一种谐振器及其制备方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115001430 A (43)申请公布日 2022.09.02 (21)申请号 202210591204.1 (22)申请日 2022.05.26 (71)申请人 武汉敏声新技术有限公司 地址 430000 湖北省武汉市东湖新技术开 发区花城大道9号武汉软件新城三期 D7栋4层01号 (72)发明人 高超　邹杨　蔡耀　詹道栋　 曲远航　王雅馨　孙博文　孙成亮　 (74)专利代理机构 北京超凡宏宇专利代理事务 所(特殊普通合伙) 11463 专利代理师 崔熠 (51)Int.Cl. H03H 3/04 (2006.01) H03H 9/17 (2006.01) H03H 9/02 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 一种谐振器及其制备方法 (57)摘要 本申请提供一种谐振器及其制备方法，涉及 半导体技术领域，方法包括：第一衬底以及依次 形成于第一衬底上的压电层、下电极和第一质量 负载层；在下电极上形成覆盖第一质量负载层的 牺牲层；在器件晶圆具有牺牲层的一侧形成支撑 层；通过键合工艺在支撑层上形成第二衬底；去 除第一衬底以使压电层露出；在压电层上依次形 成上电极和第二质量负载层；释放牺牲层以在第 一质量负载层和支撑层之间形成空腔。由此，通 过控制第一质量负载层和第二质量负载层所占 谐振器的有效工作区域面积比例对