发明

处理装置

2023-05-18 12:58:59 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202210040163.7
  • 公开(公告)日:2024-10-29
  • 公开(公告)号:CN114855139A
  • 申请人:住友重机械工业株式会社
摘要:本发明提供一种能够提高处理性能的处理装置。等离子体生成部(18)通过基于等离子体放电的辐射热(H)(参考图2)进行加热,以去除真空腔室(10)内的水分。如此,通过使用等离子体生成部(18)中的基于等离子体放电的辐射热(H),能够去除真空腔室(10)内的水分。因此,通过降低真空腔室(10)内的真空的极限压力,能够达到高真空度。由此,当在真空腔室(10)内进行成膜处理的情况下,能够通过提高膜质来提高处理性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114855139 A (43)申请公布日 2022.08.05 (21)申请号 202210040163.7 (22)申请日 2022.01.14 (30)优先权数据 2021-016577 2021.02.04 JP (71)申请人 住友重机械工业株式会社 地址 日本东京都 (72)发明人 一色雅仁  (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司 72002 专利代理师 夏斌 (51)Int.Cl. C23C 14/56 (2006.01) C23C 14/32 (2006.01) C23C 16/44 (2006.01) 权利要求书1页 说明书7页 附图4页 (54)发明名称 处理装置 (57)摘要 本发明提供一种能够提高处理性能的处理 装置。等离子体生成部(18)通过基于等离子体放 电的辐射热(H)(参考图2)进行加热,以去除真空 腔室(10)内的水分。如此,通过使用等离子体生 成部(18)中的基于等离子体放电的辐射热(H), 能够去除真空腔室(10)内的水分。因此,通过降 低真空腔室(10)内的真空的极限压力,能够达到 高真空度。由此,当在真空腔室(10)内进行成膜 处理的情况下,能够通过提高膜质来提高处理性 能。 A 9 3 1 5 5 8 4 1 1 N C CN 114855139 A 权 利 要 求 书

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