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发明

用于光刻设备内的膜和包括这种膜的光刻设备

2023-04-25 09:48:04 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202111335991.5
  • 公开（公告）日：2024-08-06
  • 公开（公告）号：CN114035254A
  • 申请人：ASML荷兰有限公司
摘要：本发明披露一种对极紫外线(EUV)辐射透射的膜，所述膜可用作光刻设备中的表膜或光谱滤光片。该膜包括：一个或更多个高掺杂区，其中所述膜是以大于1017cm‑3的掺杂剂浓度而掺杂；及具有低掺杂(或未掺杂)的一个或更多个区。所述膜可具有具备低掺杂的主衬底和一个或更多个附加层，其中所述高掺杂区被包括于所述附加层中的一些或全部内。

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 114035254 A (43)申请公布日 2022.02.11 (21)申请号 202111335991.5 阿列克谢 ·谢尔盖耶维奇 ·库兹涅 佐夫　 (22)申请日 2015.07.02 玛丽亚 ·皮特　 (30)优先权数据 L ·斯卡克卡巴拉兹　 14175835.9 2014.07.04 EP 威廉 ·琼 ·范德赞德　 15169657.2 2015.05.28 EP 彼得-詹 ·范兹沃勒　 (62)分案原申请数据 A ·M ·雅库尼恩　 201580036687.7 2015.07.02 (74)专利代理机构 中科专利商标代理有限责任 (71)申请人 ASML荷兰有限公司 公司 11021 地址 荷兰维德霍温 代理人 胡良均 (

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