在Hastelloy合金基带上制备CeO2薄膜的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116219356 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202211654613.8 (22)申请日 2022.12.22 (71)申请人 南宁师范大学 地址 530001 广西壮族自治区南宁市西乡 塘区明秀东路175号 (72)发明人 谢清连　韩徐　金艳营　赵新霞　 吴振宇　苏玲玲　魏晋忠　 (74)专利代理机构 北京远大卓悦知识产权代理 有限公司 11369 专利代理师 邓雪明 (51)Int.Cl. C23C 14/02 (2006.01) C23C 14/08 (2006.01) C23C 14/35 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图8页 (54)发明名称 在Hastelloy合金基带上制备CeO 薄膜的方 2 法 (57)摘要 本发明公开了一种在Hastelloy合金基带上 制备CeO 薄膜的方法 ，其在氧氛围下 ，对 2 Hastelloy合金基带进行退火处理 ，退火处理条 件为 ：升温速率为0 .7‑55℃/s ，升温至850‑900 ℃，恒温5‑30min，然后自然冷却至室温；然后在 经退火处理的Hastelloy合金基带表面制备CeO2 薄膜。本发明方法通过对Hastelloy合金基带进 行预处理，使其表面生成以NiO为主的金属氧化