半导体装置的制造方法

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 112233982 A (43)申请公布日 2021.01.15 (21)申请号 202011128239.9 H01L 29/786 (2006.01) (22)申请日 2015.02.17 (30)优先权数据 2014-039139 2014.02.28 JP (62)分案原申请数据 201580010830.5 2015.02.17 (71)申请人 株式会社半导体能源研究所 地址 日本神奈川 (72)发明人 山崎舜平　肥塚纯一　神长正美　 黑崎大辅　 (74)专利代理机构 中国贸促会专利商标事务所 有限公司 11038 代理人 程晨 (51)Int.Cl. H01L 21/336 (2006.01) 权利要求书4页 说明书54页 附图63页 (54)发明名称 半导体装置的制造方法 (57)摘要 本公开涉及半导体装置的制造方法。提供一 种具有晶体管的半导体装置。该晶体管包括栅电 极、栅电极上的第一绝缘膜、第一绝缘膜上的第 二绝缘膜、第二绝缘膜上的氧化物半导体膜、与 氧化物半导体膜电连接的源电极和漏电极、源电 极上的第三绝缘膜以及漏电极上的第四绝缘膜。 在晶体管上设置有包括氧的第五绝缘膜。第三绝 缘膜包括第一部分，第四绝缘膜包括第二部分， 第五绝缘膜包括第三部分。在利用热脱附谱分析 法测量时，第一部分和从第二部分释放的氧分子 的量少于从第三部分释放的氧分子的量。 A