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一种三硫化二铋纳米线/二硫化钼纳米片复合纳米材料的制备方法及其应用2026

2024-04-21 07:45:15 发布于四川 6

申请专利号：CN202311742280.9
公开（公告）日：2026-06-05
公开（公告）号：CN117902629A
申请人：中国电子科技集团公司第四十九研究所

摘要：一种三硫化二铋纳米线/二硫化钼纳米片复合纳米材料的制备方法及其应用，本发明涉及一种二硫化三铋纳米线/二硫化钼纳米片复合纳米材料的制备方法及其应用。本发明的目的是要解决现有Bi2S3材料在室温条件下检测NO2时灵敏度低、恢复时间长的问题，本发明以钼酸钠、五水硝酸铋和硫脲为主要原料，采用简单的水热合成法制备Bi2S3/MoS2复合纳米材料，合成的Bi2S3/MoS2复合纳米材料中Bi2S3为纳米线结构，MoS2呈现纳米片状结构，两种结构紧密接触形成复合材料。基于该复合纳米材料制备的NO2气体传感器具有灵敏度高、响应快和室温工作等特点，本发明应用于气体传感器领域。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902629 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202311742280.9 B82Y 40/00 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01) (22)申请日 2023.12.18 B82Y 15/00 (2011.01) (71)申请人中国电子科技集团公司第四十九研 G01N 27/00 (2006.01) 究所地址 150028 黑龙江省哈尔滨市松北区龙盛路969号 (72)发明人杨永超　刘成利　高云鹏　李涛　王大兴　皮倩倩　高飞　尹爽　董萍萍　刘思梦　 (74)专利代理机构哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 专利代理师李红媛 (51)Int.Cl. C01G 39/06 (2006.01) C01G 29/00 (2006.01) 权利要求书1页说明书4页附图4页 (54)发明名称一种三硫化二铋纳米线/二硫化钼纳米片复合纳米材料的制备方法及其应用 (57)摘要一

一种三硫化二铋纳米线/二硫化钼纳米片复合纳米材料的制备方法及其应用2026

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