发明

一种新型ITO靶材及其制备方法2024

2024-04-21 07:48:52 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202410082789.3
  • 公开(公告)日:2024-04-19
  • 公开(公告)号:CN117902893A
  • 申请人:广西晶联光电材料有限责任公司
摘要:本发明涉及ITO薄膜领域,具体公开了一种新型ITO靶材及其制备方法,靶材包括氧化铟和氧化锡,两种配比为90:10;制备方法包括以下步骤,分别在不同温度下煅烧不同配比的氧化铟和氧化锡,再将两种不同的混合粉体重新组合成氧化铟和氧化锡质量占比为90:10的第三种混合粉体,往第三种混合粉体中加入质量占比0.5%‑1%的添加剂,重新烧结。以该制备方法制出的ITO靶材显著减少了第二相,在显微组织图像中所占比例不超过5%,优化了靶材的导电性和溅射的均匀性。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117902893 A (43)申请公布日 2024.04.19 (21)申请号 202410082789.3 C23C 14/35 (2006.01) (22)申请日 2024.01.19 (71)申请人 广西晶联光电材料有限责任公司 地址 545036 广西壮族自治区柳州市阳和 工业新区古亭大道100号冠亚 ·国际 星城17#3楼307室 (72)发明人 黄誓成 陆映东 梁盈祥 张倍维  宋春华 黄作 覃丽莉 莫斌  (74)专利代理机构 广西科泰智航知识产权代理 事务所(普通合伙) 45136 专利代理师 韦杰才 (51)Int.Cl. C04B 35/453 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C23C 14/34 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 附图1页 (54)发明名称 一种新型ITO靶材及其制备方法 (57)摘要 本发明涉及ITO薄膜领域,具体公开了一种 新型ITO靶材及其制备方法,靶材包括氧化铟和 氧化锡,两种配比为90:10;制备方法包括以下步 骤,分别在不同温度下煅烧不同配比的氧化铟和 氧化锡,再将两种不同的混合粉体重新组合成氧 化铟和氧化锡质量占比为90:10的第三种混合粉 体,往第三种混合粉体中加入质量占比0.5%‑ 1%的添加剂,重新烧结。以该制

最新专利