半导体器件及其形成方法2024

专利内容

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 110970299 A (43)申请公布日 2020.04.07 (21)申请号 201811140194.X H01L 21/762(2006.01) (22)申请日 2018.09.28 (71)申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限 公司 地址 100176 北京市大兴区经济技术开发 区文昌大道18号 申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限 公司 (72)发明人 张焕云　吴健　 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 薛异荣　吴敏 (51)Int.Cl. H01L 21/336(2006.01) H01L 29/78(2006.01) 权利要求书2页 说明书8页 附图5页 (54)发明名称 半导体器件及其形成方法 (57)摘要 一种半导体器件及其形成方法，方法包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有初始鳍 部；形成第一伪栅极结构和第二伪栅极结构，第 一伪栅极结构和第二伪栅极结构均横跨初始鳍 部，第二伪栅极结构位于部分相邻的第一伪栅极 结构之间，第二伪栅极结构包括第二伪栅极结构 本体；刻蚀去除第二伪栅极结构本体以及第二伪 栅极结构本体底部的初始鳍部，在所