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发明

一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法2026

2024-06-01 07:19:47 发布于四川 59
  • 申请专利号：CN202311248952.0
  • 公开（公告）日：2026-03-27
  • 公开（公告）号：CN118062894A
  • 申请人：东南大学
摘要：本发明公开了一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物纳米卷的制备方法，首先制备过渡金属卤化物单晶材料，然后配制电化学阳极插层的电解液，并以M3X8和M3QX7单晶样品作为工作电极，以惰性电极作为对电极，构建电化学阳极插层装置；接着施加工作电压，电解液中的阳离子插层M3X8和M3QX7单晶，发生膨胀、卷曲、脱落，摇晃后，得到溶液分散的一维M3X8和M3QX7纳米卷；最后将所得分散液离心、洗涤，干燥后得到M3X8和M3QX7纳米卷粉末样品。本发明的制备工艺简单，实验参数可控、制备效率高、普适性强，所制备的M3X8和M3QX7纳米卷具有良好的致密性和高的结晶性，在光学、电学领域具有较好的应用前景。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 118062894 A (43)申请公布日 2024.05.24 (21)申请号 202311248952.0 (22)申请日 2023.09.26 (71)申请人 东南大学 地址 211189 江苏省南京市江宁区东南大 学路2号 (72)发明人 李泽军　张植　 (74)专利代理机构 南京苏高专利商标事务所 (普通合伙) 32204 专利代理师 柏尚春 (51)Int.Cl. C01G 33/00 (2006.01) C01G 35/00 (2006.01) C01B 19/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种基于阳极插层介导的过渡金属卤化物 纳米卷的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种基于阳极插层介导的过 渡金属卤化物纳米卷的制备方法，首先制备过渡 金属卤化物单晶材料，然后配制电化学阳极插层 的电解液，并以M X 和M QX 单晶样品作为工作电 3 8 3 7 极，以惰性电极作为对电极，构建电化学阳极插 层装置；接着施加工作电压，电解液中的阳离子 插层M X 和M QX 单晶，发生膨胀、卷曲、脱落，摇 3 8 3 7 晃后，得到溶液分散的一维M X 和M QX 纳米卷； 3 8 3 7 最后将所得分散液离心、洗涤，干

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