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发明

一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法2024

2024-04-07 07:34:07 发布于四川 0
  • 申请专利号：CN202410048349.6
  • 公开（公告）日：2024-04-05
  • 公开（公告）号：CN117819956A
  • 申请人：电子科技大学
摘要：本发明属于电子信息功能材料及微电子器件领域，涉及微波铁氧体材料，具体提供一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备方法，用以解决现有低温烧结NiCuZn铁氧体基板材料存在的居里温度较低、微波磁损耗与介电损耗偏高、饱和磁化强度与介电常数偏低等缺陷；本发明以Cu掺杂的高Ni/Zn比NiZn铁氧体作为主料，以Bi2O3‑CuO复合低共熔混合物作为辅料，二者低温共烧形成基板材料，不仅具有较低的烧结温度(～900℃)，同时还具有优异的微波特性：高的居里温度(～302℃)、低铁磁共振线宽(～100Oe)、低介电损耗(损耗正切值～8×10‑4)以及高饱和磁化强度(～4959Guass)，既满足了LTCC工艺要求，又具备微波铁氧体器件所需关键基板材料的优良磁性能。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117819956 A (43)申请公布日 2024.04.05 (21)申请号 202410048349.6 (22)申请日 2024.01.12 (71)申请人 电子科技大学 地址 611731 四川省成都市高新区（西区） 西源大道2006号 (72)发明人 贾利军　曾甜甜　陈言川　 (74)专利代理机构 电子科技大学专利中心 51203 专利代理师 甘茂 (51)Int.Cl. C04B 35/30 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) H01F 1/01 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料 及其制备方法 (57)摘要 本发明属于电子信息功能材料及微电子器 件领域，涉及微波铁氧体材料，具体提供一种 LTCC高居里温度NiZn铁氧体基板材料及其制备 方法，用以解决现有低温烧结NiCuZn铁氧体基板 材料存在的居里温度较低、微波磁损耗与介电损 耗偏高、饱和磁化强度与介电常数偏低等缺陷； 本发明以Cu掺杂的高Ni/Zn比NiZn铁氧体作为主 料，以Bi O ‑CuO复合低共熔混合物作为辅料，二 2 3 者低温共烧形成基板材料，不仅具有较低的烧结 温度(～900℃)，同时还具有优异的微波特性：高 的居里温度(～302℃)、低铁磁共振线宽(～

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