一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚膜的方法

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115094511 A (43)申请公布日 2022.09.23 (21)申请号 202210616486.6 (22)申请日 2022.06.01 (71)申请人 西南应用磁学研究所（中国电子科 技集团公司第九研究所） 地址 621000 四川省绵阳市滨河北路西段 268号 (72)发明人 李俊　李阳　魏占涛　刘庆元　 帅世荣　陈运茂　游斌　 (74)专利代理机构 绵阳市博图知识产权代理事 务所(普通合伙) 51235 专利代理师 黎仲 (51)Int.Cl. C30B 19/12 (2006.01) C30B 29/28 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图4页 (54)发明名称 一种同质外延生长石榴石型铁氧体单晶厚 膜的方法 (57)摘要 本发明公开了一种同质外延生长石榴石型 铁氧体单晶厚膜的方法，属于铁氧体单晶薄膜材 料技术领域，本发明的方法为采用熔盐法制备石 榴石同质衬底，并以此衬底进行液相外延，避免 了异质衬底与膜之间的物理性能差异，有效减小 了膜的内应力，降低膜的缺陷密度，提高成膜质 量；本方法制备出的单晶厚膜与衬底间的内应力 小，膜表面平整，缺陷少，结晶质量高，能有效的 应用于微波器件或磁光器件。 A 1 1 5 4 9 0 5 1 1 N C CN 115094511 A 权　利　要　求　书