发明

基于高速激光熔覆的电磁屏蔽涂层及其制备方法与应用

2023-06-11 11:47:09 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202310255244.3
  • 公开(公告)日:2024-06-25
  • 公开(公告)号:CN116219432A
  • 申请人:中国科学院宁波材料技术与工程研究所
摘要:本发明公开了一种基于高速激光熔覆的电磁屏蔽涂层及其制备方法与应用。所述制备方法包括:将碳纳米管与金属材料进行原位混合,获得高速激光熔覆材料;以及,采用高速激光熔覆技术将所述高速激光熔覆材料熔覆于基体表面,获得电磁屏蔽涂层;其中,所述高速激光熔覆技术中采用的熔覆线速度为3‑8m/min,单道横移为0.2~1mm。本发明首次将高速激光熔覆技术引入电磁屏蔽涂层制备领域,原位合成碳纳米管/金属的电磁屏蔽涂层,且该涂层膜基结合强度高,电磁屏蔽性能优异。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116219432 A (43)申请公布日 2023.06.06 (21)申请号 202310255244.3 (22)申请日 2023.03.09 (71)申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研 究所 地址 315201 浙江省宁波市镇海区庄市大 道519号 (72)发明人 庞旭明 蒲吉斌 穆森  (74)专利代理机构 南京利丰知识产权代理事务 所(特殊普通合伙) 32256 专利代理师 王茹 王锋 (51)Int.Cl. C23C 24/10 (2006.01) B22F 1/12 (2022.01) H05K 9/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书5页 附图1页 (54)发明名称 基于高速激光熔覆的电磁屏蔽涂层及其制 备方法与应用 (57)摘要 本发明公开了一种基于高速激光熔覆的电 磁屏蔽涂层及其制备方法与应用。所述制备方法 包括 :将碳纳米管与金属材料进行原位混合,获 得高速激光熔覆材料;以及,采用高速激光熔覆 技术将所述高速激光熔覆材料熔覆于基体表面, 获得电磁屏蔽涂层;其中,所述高速激光熔覆技 术中采用的熔覆线速度为3‑8m/min,单道横移为 0.2~1mm。本发明首次将高速激光熔覆技术引入 电磁屏蔽涂层制备领域,原位合成碳纳米管/金 属的电磁屏蔽涂层,且该涂层膜基结合强度高, 电磁屏蔽性能优异。 A 2 3 4 9 1 2 6

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