发明

一种热电材料及其制备方法

2023-07-03 10:00:12 发布于四川 0
  • 申请专利号:CN202111603535.4
  • 公开(公告)日:2023-06-30
  • 公开(公告)号:CN116354316A
  • 申请人:中国石油天然气集团有限公司|||中国石油集团工程材料研究院有限公司
摘要:本发明公开了一种热电材料及其制备方法,属于热电材料领域。本发明的制备方法,采用固相反应法,不需要通过分子束外延生长等复杂制备工艺,制备流程简单,且耗时短、速度快。本发明的(Cu1‑xAgx)2Te热电材料,通过在Cu2Te中掺杂Ag,增加铜空位形成能,从而降低空位浓度,同时降低了材料的载流子浓度,使材料电导率和塞贝克系数得到平衡和优化,总热导率也因载流子热导率贡献的下降而大幅降低。最终,采用相同制备工艺下,掺Ag的Cu2Te的最高热电优值ZT值高达1.78,相比未掺杂的Cu2Te提高了117%。

专利内容

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116354316 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202111603535.4 H10N 10/852 (2023.01) H10N 10/01 (2023.01) (22)申请日 2021.12.24 (71)申请人 中国石油天然气集团有限公司 地址 100007 北京市东城区东直门北大街9 号中国石油大厦 申请人 中国石油集团工程材料研究院有限 公司 (72)发明人 蒋龙 韩礼红 路彩虹 王蕊  宋生印 冯耀荣 霍春勇 刘亚旭  丁皓 谢文江 张蕾 艾志刚  (74)专利代理机构 西安通大专利代理有限责任 公司 61200 专利代理师 崔方方 (51)Int.Cl. C01B 19/00 (2006.01) 权利要求书1页 说明书3页 (54)发明名称 一种热电材料及其制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种热电材料及其制备方法, 属于热电材料领域。本发明的制备方法,采用固 相反应法,不需要通过分子束外延生长等复杂制 备工艺,制备流程简单,且耗时短、速度快。本发 明的(Cu Ag ) Te热电材料,通过在Cu Te中掺杂 1‑x x 2 2

最新专利