一种Bi系高温超导块体的制备方法

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116621576 A (43)申请公布日 2023.08.22 (21)申请号 202310736014.9 (22)申请日 2023.06.21 (71)申请人 西北有色金属研究院 地址 710016 陕西省西安市未央区未央路 96号 (72)发明人 张胜楠　邵柏淘　刘国庆　刘学谦　 金利华　李建峰　张平祥　 (74)专利代理机构 西安创知专利事务所 61213 专利代理师 马小燕 (51)Int.Cl. C04B 35/453 (2006.01) H01B 12/00 (2006.01) C04B 35/622 (2006.01) C04B 35/65 (2006.01) 权利要求书1页 说明书6页 附图4页 (54)发明名称 一种Bi系高温超导块体的制备方法 (57)摘要 本发明公开了一种Bi系高温超导块体的制 备方法，该方法包括：一、将Bi系前驱体粉末冷压 得到Bi系冷压块体；二、一次烧结得到Bi系烧结 块体；三、中间压制得到Bi系压制块体；四、二次 烧结得到Bi系高温超导块体。本发明采用两次烧 结结合中间压制的方法，并对中间压制和两次烧 结工艺参数进行控制，以获得较少的晶核，并提 高晶粒生长速率，使得大晶粒充分生长，实现了 片状粉末的密堆积以及形核和生长过程的解耦， 得到具有更高晶间连接性的块体，进而获得具有 高超导相含量和高织构度Bi系高温超导块体，且 制备方法简单，易于实现。 A