一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及其制备方法与应用2024

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(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 117866204 A (43)申请公布日 2024.04.12 (21)申请号 202410003309.X (22)申请日 2024.01.02 (71)申请人 福建泓光半导体材料有限公司 地址 363118 福建省漳州市高新区九湖镇 林前村林前773号 (72)发明人 毛鸿超　李禾禾　王静　 肖楠　 宋里千　 (74)专利代理机构 厦门荔信律和知识产权代理 有限公司 35282 专利代理师 赖秀华 (51)Int.Cl. C08G 77/06 (2006.01) C09D 183/04 (2006.01) G03F 7/11 (2006.01) 权利要求书3页 说明书14页 (54)发明名称 一种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组 合物及其制备方法与应用 (57)摘要 本发明属于光刻材料技术领域，具体涉及一 种含硅表面改性剂和抗刻蚀剂下层膜组合物及 其制备方法与应用。所述含硅表面改性剂的制备 方法包括将S 单体以及任选的硅氧烷单体S 在 n m1 催化剂的作用下进行聚合反应得到含硅表面改 性剂。本发明的关键在于采用具有特定结构的含 硅表面改性剂并以适当的比例添加到抗蚀剂下 层膜组合物中，由此所得的抗蚀剂下层膜在曝光 前后的接触角与抗蚀剂上层膜的接触角相接近， 使得曝光前光致抗蚀剂的匀胶效果良好，同时提 高